提供一種記憶體結構，其包括至少二浮置閘極、二硬罩幕條、一抹除閘極以及二選擇閘極。 如申請專利範圍第7項所述之記憶體結構，其中所述第二摻雜區更延伸到相鄰的所述選擇閘極下方的所述基底中。 在一實施例中，記憶體結構10更包括二浮置閘介電層(如介電層102a)、一抹除閘介電層(如介電層116)以及二選擇閘介電層(如介電層117)。 二浮置閘介電層102a配置於浮置閘極104a與基底100之間。 抹除閘介電層(如介電層116)配置於抹除閘極118與基底100之間以及抹除閘極118與浮置閘極104a的裸露部分之間。 二選擇閘介電層(如介電層117)配置於選擇閘極120a與基底100之間。
抹除閘極118配置於浮置閘 極104a之間的基底100上。 二選擇閘極120a配置於浮置閘極104a外側的基底100上。 在本發明的一實施例中，上述基底中形成有至少一第一主動區塊、至少一第二主動區塊以及第三主動區塊。 第一主動區塊以及第二主動區塊沿第一方向延伸，第三主動區塊位於第一主動區塊與第二主動區塊之間且沿第二方向延伸。
劉振強: TWI696272B – 記憶體結構及其製造方法
在一實施例中，硬罩幕條108的厚度是浮置閘極104a的厚度的至少兩倍。 接著，以光阻層121為罩幕，進行蝕刻製程，移除掉部分選擇閘極條120，以於浮置閘極104a外側形成選擇閘極120a。 請參見圖1B，於基底100上形成光阻層109。 在一實施例中，光阻層109覆蓋硬罩幕條108以及硬罩幕條108之間的浮置閘極條104。
- 在一實施例中，可於摻雜多晶矽層上形成絕緣材料層，然後一起進行圖案化，以於浮置閘極條104上形成絕緣層106。
- 此外，由於抹除閘極118的設置，可大幅提高抹除速度。
- 1953年，劉振強與柯君欽、范守仁集資新臺幣5千元，取「三個小民」之意命名成立「三民書局」，並訂定宗旨為「傳播學術思想，延續文化發展」；不過，因志向不同，范守仁、柯君欽先後離開，劉振強獨力經營。
- 於浮置閘極之間形成抹除閘極以及於浮置閘極外側形成二選擇閘極。
二內側間隙壁(如第一間隙壁100a)配置於硬罩幕條108之間的浮置閘極104a上。 二外側間隙壁(如第一間隙壁100b)配置於硬罩幕條108外側的基底100上，二外側間隙壁(如第一間隙壁100b)與硬罩幕條108以及選擇閘極120a彼此直接接觸。 在一實施例中，內側間隙壁(如第一間隙壁100a)與外側間隙壁(如第一間隙壁100b)的材料包括氧化矽-氮化矽-氧化矽複合結構。 請參照圖1I，於選擇閘極120a外側的基底100中形成多個第二摻雜區122。 在一實施例中，以光阻層121為罩幕，進行離子植入製程，以形成第二摻雜區122。 在一實施例中，形成於硬罩幕條108之間的浮置閘極條104上的第一間隙壁110a、第二間隙壁112a又稱為內側間隙壁，而形成於硬罩幕條108外側的基底100上的第一間隙壁110b、第二間隙壁112b又稱為外側間隙壁。
劉振強: 劉振強
在一實施例中，抹除閘極118配置於第三主動區塊AA3的基底100上。 如申請專利範圍第13項所述之記憶體結構的製造方法，其中各浮置閘極的一側與對應的所述硬罩幕條切齊，而其另一側突出於對應的所述硬罩幕條。 請參照圖1I，於基底100上形成光阻層121。 在一實施例中，光阻層121覆蓋硬罩幕條108及其之間的抹除閘極118，並覆蓋硬罩幕條108外側的部分選擇閘極條120。
至少一浮置閘極 條沿第一方向延伸，形成在第一主動區以及第二主動區塊上，並與第三主動區域交錯。 在本發明的一實施例中，上述記憶體結構更包括第一摻 雜區以及二第二摻雜區。 本發明提供一種記憶體結構，其包括至少二浮置閘極、二硬罩幕條、一抹除閘極以及二選擇閘極。
劉振強: 劉振強 (企業家)
圖2至圖4為據本發明一實施例所繪示的一種記憶體結構的一些製造階段的上視示意圖，其中圖1A至圖1B為沿著圖2至圖3中的I-I’線所繪示的剖面示意圖，圖1D為沿著圖4中的I-I’線所繪示的剖面示意圖。 為了清楚說明起見，圖2至圖4會省略一些構件，僅繪示出主要構件的位置關係。 基於上述，藉由本發明的製造方法，可製作出一種記憶體結構，其可以在不增加記憶胞尺寸的情況下，增加記憶體的讀取速度和抹除速度。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
以下，將參照圖1J以及圖4，說明本發明之記憶體結構。 在一實施例中，本發明之記憶體結構10包括至少二浮置閘極104a、二硬罩幕條108、一抹除閘極118以及二選擇閘極120a。 至少二浮置閘極104a配置於基底100上。 劉振強 二硬罩幕條108分別配置於浮置閘極104a上方，並裸露出部分浮置閘極。 在一實施例中，浮置閘極104a的裸露部分彼此面對。
劉振強: 劉振強醫生
第一主動區塊AA1以及第二主動區塊AA2沿第一方向D1延伸，且第三主動區塊AA3位於第一主動區塊AA1與第二主動區塊AA2之間且沿第二方向D2延伸。 第一方向D1 與第二方向D2交錯，例如彼此垂直。 在本發明的一實施例中，上述部分第一間隙壁以及部分第二間隙壁形成於硬罩幕條之間的浮置閘極條上，且部分第一間隙壁以及部分第二間隙壁形成於硬罩幕條外側的基底上。 在本發明的一實施例中，上述記憶體結構更包括二內側間隙壁以及二外側間隙壁。 二內側間隙壁配置於硬罩幕條之間的浮置閘極上。
二硬罩幕條分別配置於浮置閘極上方，並裸露出部分浮置閘極。 如申請專利範圍第1項所述之記憶體結構，更包括：一第一摻雜區，配置於所述抹除閘極下方的所述基底中；以及二第二摻雜區，配置於所述選擇閘極外側的所述基底中。 如申請專利範圍第12項所述之記憶體結構的製造方法，其中所述第二摻雜區更延伸到相鄰所述選擇閘極下方的所述基底中。 劉振強 如申請專利範圍第12項所述之記憶體結構的製造方法，其中所述第二間隙壁的厚度為所述第一間隙壁的厚度的至少兩倍。 劉振強 在一實施例中，記憶體結構10更包括第一摻雜區114以及二第二摻雜區122。 第一摻雜區114配置於抹除閘極118下方的基底100中。
劉振強: 劉振強醫生
在一實施例中，介電材料層102的材料包括氧化矽，且其形成方法包括進行熱氧化法。 如申請專利範圍第7項所述之記憶體結構，其中所述第一摻雜區更延伸到相鄰的所述浮置閘極下方的所述基底中。 如申請專利範圍第1項所述之記憶體結構，更包括二絕緣層，配置於所述硬罩幕條與所述浮置閘極之間以及所述內側間隙壁與所述浮置閘極之間。 請參照圖1E，於浮置閘極104a之間的基底100中形成第一摻雜區114。 在一實施例中，於基底100上形成光阻層113，其中光阻層113覆蓋硬罩幕條108及其外側區域，並裸露出硬罩幕條108之間的內側區域。 接著，以光阻層113為罩幕，進行離子植入製程，以形成第一摻雜區114。
請參照圖1H，於浮置閘極104a之間形成抹除閘極118以及於浮置閘極104a外側形成二選擇閘極條120。 在一實施例中，於基底100上形成摻雜多晶矽層，然後對摻雜多晶矽層進行回蝕刻製程，直到剩餘的摻雜多晶矽層的表面低於硬罩幕條108的表面。 圖1A至圖1J為根據本發明一實施例所繪示的一種記憶體結構的製造方法的剖面示意圖。
劉振強: 劉振強
在一實施例中，形成浮置閘極條104的方法包括於基底100上形成摻雜多晶矽層，然後對摻雜多晶矽層進行微影蝕刻之圖案化步驟。 在一實施例中，可於摻雜多晶矽層上形成絕緣材料層，然後一起進行圖案化，以於浮置閘極條104上形成絕緣層106。 在一實施例中，基底100具有至少一第一主動區塊AA1、至少一第二主動區塊AA2以及第三主動區塊AA3。